集成电路器件建模解决方案流程如下图所示：

MeQLab软件介绍

MeQLab 是一款先进的建模平台软件，适用于Windows、Linux 和 UNIX 操作系统，支持业内主流的Linux、Windows和 UNIX操作系统。得益于其开放式架构、内置 NanoSpice 仿真器引擎和先进优化器，此平台操作便捷、功能强大，能够为用户提供一系列建模相关的独立应用，用户也可根据自身需求自定义应用模块(App)。软件可用于驱动仪器进行数据测量，数据分析，器件的基带和射频模型提取、QA、以及相关电路的验证和设计，所有建模相关的应用操作都可以在这一平台上完成，提供了综合全面的从基带、模拟到射频器件建模及QA等等先进核心的功能，可以有效解决人工转换和多个软件来回切换使用的难题，很大程度提高整体建模及模型QA的工作效率，同时确保模型质量上的管控。此外，其强大的数据管理机制可方便用户实时更改，保存和恢复数据信息。

测试结构方案

不同工艺对测试结构的需求不同，器件测试结构作为整个模型测试的基础，其完整性和质量很大程度上决定了SPICE建模型的质量和模型覆盖全面性。

在测试结构设计方面，拥有丰富的行业工程经验，支持工艺技术节点全面，测试结构类型丰富，已成功向多个客户交付设计服务项目。由于在开发过程中结合了其自主开发的Testkey Layout工具，能实现测试结构版图的高度自动化，极大提高工作效率，易于批量修改和更新，保证交付质量和效率。

测试结构设计流程覆盖了从器件种类和连接方式确定、器件测试结构和尺寸变化Matrix设计到生成Manual后，再通过自开发工具实现自动化的到版图生成，再经过DRC和LVS的检查和修改，最终确定整体测试结构版图的面积、Floor plan到最后Tapeout的整套开发流程。

测试结构设计工艺技术节点涵盖了0.18um，55nm，28nm，14/7nm FinFET，用途包括SPICE Testkey, Reliability, DR, PEX, PCM，结构类型包括IV，CV，Mismatch，LDE，Res，MOM。

测试结构部分设计流程如下所示：

器件测试

在先进晶圆测试和器件建模领域，业界领先的量产级先进测试实验室，配备各种先进的测试仪器，包括12英寸的半自动和全自动的探针平台、B1500A、4200A，以及射频相关设备和自研的测试仪器，比如FS-Pro半导体参数测试系统及9812低频噪声测试系统等，用于提高测试效率。

器件测试能力总结如下：

Ø  具备25℃对业内主流的MOSFET，passive等器件的mapping测试能力；

Ø  能够实现在低温-55℃下对业界主流的各种器件的测试能力；

Ø  能通过贴片灯方式实现对单独的die的测试能力，具备通过mapping测试数据选择golden die的方法论和相关实现算法；

Ø  具备温度范围在（-55℃≤T≤180℃）的测试能力；

Ø  支持使用业内主流噪声测试设备进行1/f噪声测试的能力；

Ø  具备射频测试的能力，且最高频率可达到110GHZ；

Ø  具备通过mapping测试数据选择golden die的方法论和相关实现算法，且支持定制算法；

Ø  具有业内主流的进行可靠性测试包括但不限于HCI，BTITDDB等效应的测试能力和相关测试经验，具有相关测试的设备和能力；

器件建模

在SPICE建模能力方面，拥有十多年国际领先的器件建模行业经验，能够支持包括平面工艺以及FinFET工艺在内的所有工艺建模服务，具有业内最全面的器件建模能力和工程经验，并长期为用户提供包括FinFET先进工艺节点在内的MOS器件模型。除此之外，在无源器件、SRAM、射频器件、III-V器件、可靠性建模领域也经验丰富。

采用MeQLab提参建模软件，模型提取能力总结如下：

Ø  支持硅基器件，三五族器件，功率器件等各种有源，无源器件表征和建模，含温度效应（-55℃≤T≤180℃）

Ø  支持业内主流的各种有源器件和无源器件模型提取，包括MOSFET，SOI，各种passive器件等

Ø  支持各种业内主流的CMC Compact model，包括但不限于BSIM3V3/BSIM4/BSIM6/BSIMCMG/PSP/HISIM等

Ø  能支持主流的子电路，VA形式的HBT，HEMT类型的晶体管模型能提取

Ø  支持业内主流的TFT模型提取，支持自定义的TFT子电路模型提取

Ø  支持各种类型的基带和射频模型提取，包括CMOS，FinFET，SOI，各种Passive器件

Ø  支持各种存储器相关的特征化表征，数据处理，模型提取，包括SRAM，DRAM，Flash等

Ø  支持相关的热噪声数据特征化，去嵌和模型提取

Ø  可提供建模服务包括DC，CV，corner，1/f 噪声，Mismatch，统计模型，LDE模型，射频模型

Ø  能交付温度范围在-55℃≤T≤180℃的器件模型

Ø  能提供达到或超过主流商用模型精度的建模结果

可靠性测试和模型部分

可靠性模型测试与建模能力：

具备使用业内主流的建模方案如AgeMOS或OMI进行包括HCI，BTI，TDDB等效应的可靠性建模能力。

根据行业标准对单个器件进行HCI，BTI和TDDB的可靠性测试时间大于90小时，并能提供原始数据和测试记录。

能使用业内通用的做法，通过施加应力到标准电压1-1.5倍工作条件进行器件加速可靠性测试能力。

具备验证模型可靠性准确性和质量检查的能力。

具备交付包括HCI，BTI，TDDB模型，拟合结果，质量检查结果的能力。

可靠性测试：

        基于28nm工艺的可靠性测试内容主要包括HCI，BTI和TDDB，该部分测试要基于常温测试mapping数据选择的golden device进行。可靠性建模目前业界主流的建模方案是使用AgeMOS方案，但该方案目前只支持HCI和BTI，解决方案基于AGEMOS或OMI的HCI和BTI模型。